Китайські дослідники збільшили час життя електронної заплутаності у твердотільній системі за кімнатної температури у 240 разів завдяки перенесенню станів на ядерні спіни.
ДжерелоNV
Китайські дослідники збільшили час життя електронної заплутаності у твердотільній системі за кімнатної температури у 240 разів завдяки перенесенню станів на ядерні…
Китайські дослідники збільшили час життя електронної заплутаності у твердотільній системі за кімнатної температури у 240 разів завдяки перенесенню станів на ядерні спіни.